Pesquisadores do Instituto de Física de São Carlos da Universidade de São Paulo (IFSC-USP), em colaboração com cientistas da École Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL), na Suíça, anunciaram uma nova técnica que visa aprimorar o desempenho do dissulfeto de molibdênio (MoS₂), um material semicondutor bidimensional com aplicações significativas em eletrônica e sensores.

Este estudo, que recebeu financiamento da FAPESP, destaca a importância do MoS₂, que possui características que o tornam ideal para o desenvolvimento de dispositivos eletrônicos de próxima geração. A pesquisa se concentra em otimizar as propriedades elétricas e mecânicas desse material, o que pode levar a inovações em áreas como a fabricação de transistores e sensores altamente sensíveis.

Entre as principais contribuições do estudo, os pesquisadores identificaram métodos que podem aumentar a eficiência do MoS₂, permitindo que ele funcione de maneira mais eficaz em aplicações práticas. A expectativa é que essa nova abordagem possa abrir portas para a criação de dispositivos mais compactos e com melhor desempenho, beneficiando setores como telecomunicações, computação e monitoramento ambiental.

A colaboração internacional entre as instituições envolvidas ressalta a importância da pesquisa científica conjunta, que pode acelerar o desenvolvimento de tecnologias avançadas. Os resultados deste trabalho têm o potencial de impactar significativamente o campo da eletrônica, oferecendo novas possibilidades para o uso de materiais semicondutores em diversas aplicações.